中国芯片全方位落后

2018-04-23 04:04阅读:66

作者 : 千讯咨询   来源 / 本站整理

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集成电路所包含的产业十分广泛,包括软件(EDA工具)、设计、制造、封测、材料、设备等。中国和国际主流水平的差距主要体现在哪些领域?落后是全方位的,几乎所有的设备、材料都依赖进口,FPGA、存储器全部进口,而中国能做的产品也落后很多。

在设计和封测领域,中国与美国等先进企业差距已经逐步缩小,但是制造方面还存在不小差距。即使设计领域,华为海思发展已非常不错,但在制造环节仍由台积电代工。地平线芯片相关负责人则表示,其AI芯片也是采用台积电工艺,确实应该支持国货,但是要支持好的国货,而不是道德绑架,我们可以允许有5%~10%的偏差,但不能太大。

没有掌握核心技术,产业就容易被遏制。据千讯咨询发布的《中国芯片市场前景调查分析报告》显示,存储芯片对制造工艺要求较高,主要由韩国的三星、海力士和美国的美光等垄断。2016年下半年开始,存储芯片价格暴涨,国内终端厂商苦不堪言。虽然紫光集团旗下的长江存储正试图实现中国存储芯片的突破,但离真正的规模量产仍需时间。存储器芯片约占芯片市场的1/3,主要分为易失存储器和非易失存储器,前者包括DRAM和SRAM,后者主要包括NANDFlash和NORFlash。

DRAM和NANDFlash是存储器的两大支柱产业,中国严重依赖进口。其中,NANDFlash产品几乎全部来自国外,主要用在手机、固态硬盘和服务器。NORFlash主要用于物联网,技术门槛较低,中国企业基本已经掌握,但应用领域和市场规模不如DRAM和NANDFlash。

目前,长江存储作为中国首个进入NAND存储芯片的企业要在2018年才能实现小规模量产。到2019年其64层128Gb3DNAND存储芯片将进入规模研发阶段。上述长江存储员工称,今年将出的第一代产品技术相对落后,主要为了技术积累,不是一个真正面向市场的量产产品。可能到明年我们第二代产品出来后,会根据市场需求量产。

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