2016年下半年开始，存储器市场出现供需缺口，需求量持续增长。智能手机和服务器市场对内存和SSD需求旺盛，特别是国产品牌手机出货量持续大幅增长，新一代iPhone产品的推出，需要消耗大量的存储器产能，同时数据中心建设带动服务器用存储器持续增长，固态硬盘在PC中替代机械硬盘也增加了对NAND闪存的需求。
供给持续收缩。三星、海力士等企业正逐步将2D NAND Flash（二维闪存）转移至3D NAND Flash（三维闪存），2D NAND Flash基本停止扩产。3D NAND Flash作为一种新兴的存储器，扩产需要较长时间，闪存产能增长幅度放缓。全球主要闪存厂商的 3D NAND Flash目前产出超过NAND闪存产量的一半。目前DRAM生产工艺微缩进入到20纳米节点，工艺制程继续微缩、良率提升的难度急剧上升，经济效益不好，因此，各大DRAM厂对先进技术开发、资本支出持保守态度，DRAM总体产能增长大幅放缓，DRAM供给相对稳定。预计到2018年，随着3D NAND Flash产能和良率不断提升以及新增产能陆续投产，存储器供应紧张局面有望缓解。
这一轮涨价或改变全球存储器竞争格局。三星成为存储器涨价的最大赢家，三星有望在2017年超越英特尔，成为全球半导体龙头。千讯咨询发布的《中国手机市场前景调查分析报告》显示，从去年三季度以来存储器涨价扭转了三星在Note7手机大量召回带来的不利局面。根据IC In-sights的数据，今年二季度，存储器持续涨价推动三星半导体部门营收创出新高，有望达到149亿美元，高于英特尔的144亿美元（预估值）。预计三星在未来很长一段时间将主导全球存储市场的定价权。