世界移动通信大会在巴塞罗那刚刚闭幕，会上中国移动总裁李跃向全球通信业发出一个令人振奋的消息，中国移动将在今年扩大TD-LTE规模试验，在原来6个试验城市的基础上新增3个城市——北京、天津、青岛，基站总数也将从第一阶段的2000个扩大到2万个。
今年仅是开端，根据TD-LTE全球发展倡议组织(GTI)3年规模部署，到2014年，全球将建成超过50万个TD-LTE基站，覆盖超过20亿人口，这比ABI Research(咨询公司)早先的预测——2016年年底至少建50万个TD-LTE基站整整提前了2年。这一计划，远远超出业界预期，在LTE全球展开商用的激励下，TD-LTE已挂高档全速前进，产业链相关企业需重新调整时间表，跟上TD-LTE加速发展的节奏。
对于今年中国移动将扩大TD-LTE建设规模的消息，TD-LTE产业链的主流企业早在今年年初就已知晓。1月5日，中国移动在其创新大厦召开了TD-LTE专题研讨会，TD产业联盟秘书长杨骅主持会议并演讲，国务院研究室相关领导、中国移动技术部副总经理魏冰、中国移动研究院副院长王晓云、工业和信息化部电信研究院副总工程师王志勤、中国移动设计院副院长蒋远以及大唐、中兴、华为、诺西、爱立信、三星、联想、宇龙、高通、星河亮点、创毅视讯等TD核心企业领导参会。在研讨会上，杨骅、魏冰、王志勤对TD-LTE的试商用时间等问题进行了非常明确的回答。
这次会议无疑是一次产业动员会。
此次会议后，产业链企业的工作重点迅速向试商用转移。“今年的工作任务很重，一方面要做好TD-LTE第二阶段的测试，另一方面要为试商用做好准备。”大唐移动LTE产品线总工程师蔡月民表示，“大唐今年还针对TD-LTE的规模扩大开发了一款新产品，从去年一块基带板支持20M8天线载波集成为一个基带板支持3个20M的载波。集成度更高将降低成本，适用于大规模组网。”不仅仅是大唐，其他系统企业也在做着基本相同的试商用准备工作。
在2012年，中国移动欲将TD-LTE的基站规模扩大到2万个以上。考虑到TD-LTE工作频段较高，覆盖面积缩小，其规模与中国移动在2008年启动的TD-SCDMA 10城市试商用1.4万个基站的建网规模基本相当。这是TD-LTE商用前的“大练兵”，最先受到考验的是系统设备厂商，包括产品的商用化水平、组网规划、优化能力，对业务的支撑能力等，在中国移动提速发展TD-LTE后，系统厂商的快速建网能力也变得十分重要。
“平滑演进策略是实现TD-LTE大规模快速建网的关键。”蔡月民说。提升从TD-SCDMA向TD-LTE平滑升级的TD-SCDMA/TD-LTE双模支持能力也是大唐移动今年的关注重点，大唐移动按计划已经在南京的规模测试网中进行小范围的验证，实现同一个基站的RRU(射频单元)和BBU(基带单元)都支持双模。
“TD-LTE未来预商用或者商用网络的站址建设和天面建设是影响工程难易、建设成本和工程进度的两个重要因素。”爱立信中国及东北亚区产品管理部无线产品专家陈明博士表示，“对于中国移动，我们建议TD-LTE既可以与TD-SCDMA共站址，也可以与GSM共站址，后者的好处是有更多的站址资源，建站灵活性更大。”陈明说，“据我们分析，这两种共站方式与新建站址相比都可以节省TD-LTE建站成本的70%左右。”
终端是产业发展至关重要的一环，终端芯片的设计是核心。
进入TD-LTE第一阶段外场测试的终端主要是单模芯片，海思、创毅视讯、高通、艾特、中兴微电子、赛肯、重邮信科、意法爱立信、展讯都有相应的解决方案。第二阶段的测试重点是多模终端的互操作，主要是TD-LTE/TD-SCDMA的多模。
而入围MTNET测试第二阶段的芯片厂商目前仅三家，分别是联芯科技、创毅视讯、中兴微电子。其中联芯科技TD-LTE/TD-SCDMA双模解决方案DTivy1760是业界为数不多的单芯片双模方案，基于该方案的数据卡产品LC5760也参与到测试中，已经可以满足TD-LTE组网的各项指标要求，基本性能或达到早期商用要求。然而从终端整体来看，大多数企业能够提供的多模测试终端还将以双芯片为主。
“2012年，TD-LTE产业应该继续加大投入，其中重点是加强多模芯片的发展。”TD产业联盟秘书长杨骅说，“未来是多模终端的世界，海思、创毅视讯在TD-LTE单模上发展比较快，但将来国际企业在FDD模式上增加TDD的能力，比国内企业在TDD技术上增加FDD的能力要强得多，开发速度也会快得多，这是由企业原有基础决定的。”
针对TD-LTE终端发展现状，中国移动对终端的发展思路也有各种考虑。一位接近TD-LTE测试的业内人士称，这一方面要考虑到LTE终端芯片的成熟度，另一方面要考虑到TD-LTE的定位和市场营销策略。据工业和信息化部电信研究院3G及宽带无线领域主席王志勤的报告，LTE目前大部分是数据类终端，多模手机的LTE模块也仅用于数据业务，语音解决方案尚不成熟。而且目前的终端芯片多数基于45nm工艺，LTE模块耗电约500mA，显著高于HSPA约300mA的耗电量，智能手机较为适用的28nm芯片，预计2013年后才能投入市场。