韩国政府宣布，已经批准三星电子在中国投资40亿美元，建设一座闪存芯片工厂。这是三星第二座海外芯片工厂。
根据市场调研发布的数据，今年中国NAND闪存芯片消耗量将占据全球闪存市场的一半，预计规模在290亿美元，到2015年时比重还将增长至55%。
中国闪存芯片消耗量的稳定增长主要受到华为(微博)、中兴等中国制造商的驱动，后者在全球智能机和平板电脑市场的份额也一直在稳步增长。
三星中国厂产品线将采用尖端20纳米或以下制造工艺，计划在2013年晚些时候开始量产。
三星尚未决定新工厂的地址，该工厂月晶圆产能在10万片。
韩国政府要求本国企业在外国投建工厂时需提交申请，以防止本国有价值高新技术的泄露。韩国知识经济部(The Ministry of Knowledge and Economy)在声明中称，三星将建立旨在防止潜在技术泄露的委员会。
三星目前是全球最大的NAND闪存芯片制造商，份额为40%，他们主要与日本东芝(微博)、韩国海力士和美国美光竞争。