千讯咨询发布的中国光耦市场前景调查分析报告显示，光耦行业工艺技术发展趋势分析：
①反极性850nm红外线LED芯片
随着红外安防夜视监控的应用领域不断扩大，对850nm红外线LED芯片的发射功率要求也不断提高，通过对芯片技术的研发，提高芯片的发射功率。因砷化镓材料本身具有吸光的特性，所以普通红光芯片发射功率受到了很大局限，采用的技术是去除芯片的砷化镓衬底，同时在背面增加反射层大大提高了芯片的出光率。在工艺的优化上，引进了新型接触层工艺，替代目前普遍使用的贵金属接触层，从而减少了生产工艺流程及制作成本。
②新型制程红外线LED芯片
通过对芯片的技术研究，在红外线LED芯片引入新型接触层工艺，替代目前普遍使用的贵金属接触层，简化了工艺流程，增加成品量，同时减少了辅料的使用。
③高可靠性表贴式LED
加强式倒球焊结构的LED贴片器件。第一焊点除采用正常的超声波压焊外，还在焊接点追加加强金球。利用加强球体与金质电极融合压紧金线，从而提高焊接可靠性和焊接后的良品率。
④超薄型表贴式发光二极管封装
本技术设计一方面可以保持成品的背面铜箔面积不减少而不影响上锡效果，另一方面避免切割时产生切割毛刺而影响客户贴片使用效率。PCB线路排版采用捞槽设计，将单排元器件按照相等间距独立排列，使材料正面两侧铜铂连成一体。
⑤超小型全彩PCB封装表贴式发光二极管器件
PCB正面线路封胶胶道两边添加一定厚度的弹性绝缘材料，减少封胶时胶体扩散至导通孔内，避免胶体覆盖住导通脚位，造成电性失效的情况。压模封胶时PCB背面增加一层高聚乙烯材料，增强模具压合的弹性缓冲效果，减少由于板厚不均造成溢胶的比例，有效的提高了刮胶效率。同时将电极设计在LED芯片的边缘，第一焊点可以焊接于LED芯片的侧边，无需考虑设置一定高度的线弧来避免短路的问题，达到控制成品厚度的目的。
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