千讯咨询发布的中国光耦市场前景调查分析报告显示，光耦行业工艺技术水平分析：
（1）外延核心技术
①基于图形化蓝宝石衬底外延技术
在传统的氮化镓基LED芯片结构中，从有源层发射出来的光经过LED内部全反射、吸收等损耗，最终从LED表面逸出的光不足5%。图形化蓝宝石衬底一方面可以有效减少氮化镓外延材料的位错密度，从而减小有源区的非辐射复合，减小反向漏电流，提高LED的寿命；另一方面有源区发出的光，经氮化镓和图形化蓝宝石衬底界面多次散射，改变了全反射光的出射角，增加了LED的光从图形化蓝宝石衬底出射的几率，从而提高了光的提取效率。综合这两方面的原因，使图形化蓝宝石衬底上生长的LED的出射光亮度比传统的LED大幅提高，同时反向漏电流减小，延长了LED的寿命。现已成功研发适用于背光LED产品的外延生长工艺。
②新型外延工艺技术
现研发的新型外延结构，可以减少垒层与阱层界面的应力，缓解能带的弯曲，从而提高电子和空穴的复合效率，可缓解因生长过程中晶格不匹配而产生的应力，从而大大减小界面产生的极化效应，该新型外延结构可大幅增加空穴注入效率，提高发光效率，增加产品抗静电性能。
（2）封装核心技术
①超薄SMDCHIPLED封装技术
针对氮化镓基LED芯片，其厚度可容易控制在0.08mm，所以该类芯片采用常规封装工艺比较方便实现总厚度为0.4mm的封装；而对于铝镓铟磷四元芯片，因其材质易脆特性，其厚度只可控制在0.12～0.14mm范围内，因此采用常规工艺是不能实现总厚度为0.4mm的封装。公司经过技术攻关，研发出了新型封装技术，不仅可实现总厚度为0.4mm的封装，同时也提高了LED封装产品的可靠性。
②新型光电耦合器封装技术
针对使用模压方式封装，光耦生产采用特殊支架；此外光耦耐压程度是一项重要指标，其主要受发光元件与受光元件之间的距离影响，距离越大耐压越高，但灵敏度及传导性会降低。光耦产品采用新型封装方式可保证光耦耐压与灵敏度以及传导性，同时降低晶片高度。
③环境光与接近传感器模压封装技术
现采用先进的模压封装技术生产环境光与接近传感器，制作方式可彻底隔离相邻IR-LED芯片与接近光IC芯片之间的横纵向发光光线，减小相互干扰。隔离框罩连接牢固、抗冲击强度高；耐高温高湿可靠性高。可便利的根据实际需要切割不同大小尺寸的阵列给客户使用；可通过设计超薄型导光胶层，提升散热效果，提高可靠性。
④超薄背光产品封装技术
针对通讯终端显示屏背光产品的特性调整和优化芯片分选时波长、亮度几个主要参数的测试方法和分类方式，同时在产品点荧光胶时，采用特殊方式注入荧光胶，可显著提高最终产品在色区集中度和亮度集中度。
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