过去存储器与晶圆代工可以说是“楚河汉界，井水不犯河水”。但在即将来临的时代，存储器业者觊觎占了全球65%的非存储器市场，而存储器技术从过去的DRAM、3D NAND，正逐渐走向磁阻式存储器(MRAM)等完全不同模式的新技术。MRAM虽然还没有真正量产，但技术上读写速度已达20ns，甚至略优于DRAM，前景看好。
这些新技术的推进，打破原先的产业格局，每家厂商都想抢得先机，鸭子划水般的投资暗暗给全球半导体业带来重大的改变。不仅原本的存储器大厂虎视眈眈，晶圆代工大厂不会缺席，国内也想弯道超车。至于谁会领先达阵?当DRAM因为技术极限而可能成为消费商品时，倚赖政府投资的半导体大厂能否后来居上，而在智财权的紧箍咒下，国内如何成为多元应变的“孙猴子”呢?这些都是2019年观察产业的重点。
由于DRAM最新工艺转换不易，服务器等需求依然畅旺，Mobile DRAM的装载量持续扩大，都给2018年DRAM的商机带来足够的支撑。3D NAND的多层化，既是进入障碍也是商机的来源，但非存储器的商机仍然占了半导体市场的65.5%。如果瞄准未来的市场，CMOS影像传感器(CIS)、行动AP与车联网等三大需求依旧是市场的保证。
根据千讯咨询发布的《存储器市场发展研究及投资前景报告》显示，更重要的是台积电称雄晶圆代工业，自然会多元耕耘，不让他人染指。但三星电子(Samsung Electronics)与SK海力士(SK Hynix)都有分散业务过度集中于存储器的策略，国内的IC设计业也开始超车，系统IC与晶圆代工的竞争依然波涛汹涌。2017年全球存储器市场为1,303亿美元，比2016年的713亿美元暴增82.6%，估计2018年仍维持26.3%的成长率。在市场的驱动下，韩国两大存储器体业者的资本支出也持续扩大，直到2018年底才出现减缓的趋势。
另据SEMI资料，全球半导体材料市场将从2017年的247亿美元，增加到2018年的278亿美元，成长率12.7%。从2016年开始的半导体高峰期，延续到2018年底，半导体业者也顺势推舟，在资本支出上更进一步的提高。
对照存储器业者2016年的资本支出为243亿美元，2017年达到401亿美元，2018年预估为440亿美元，也可以理解全球的半导体产业正在投资的高峰期。但美中贸易是最大变数，2018年底三星的人事布局、扩张策略趋于保守，显示主力大厂对于2019年的投资采谨慎态度。
全球DRAM市场95%以上掌握在前三大厂手中，由于竞争相对缓和，主力大厂在2017年的资本支出，竟然比2016年减少3.8%。因服务器需求高于预期，新工艺转换的过程难度也高于预期，而每台设备所搭载的DRAM也相应提高，因此2018年的企业投资仍高于往年。
2018年起，三星量产1ynm(10nm中段级技术)，由于难度比1xnm(10nm级后段技术)高出不少，因此在工艺转换上比原先预计的要长。SK海力士也将从2017年下半开始前进1xnm的工艺，2018年下半期起比重便显著增加，也进入了1ynm等级的工程技术。在这种背景下，三星曾明确的表达扩大投资的计划构想，而SK海力士原先计划在2019年启动的增产计划，也提前到2018年下半。
在手机市场上，Mobile DRAM受限于手机市场饱和之苦，但即将来临的5G商机、手机游戏、AR/VR、4K影像、智慧城市等领域都将带来庞大的机会。手机搭载DRAM平均容量从3GB起跳，2019年甚至上看10GB;2018年出货的iPhone Xs已使用每层4GB的双层DRAM架构。