中国科学家已开发出一种新型相变材料，有望将电子产品的存储速度提高约70倍左右。相关成果由中科院上海微系统与信息技术研究所宋志棠团队取得。宋志棠等人利用含钪、锑、碲的合金材料制造出相变存储器单元(PCRAM)，这一新材料的写入速度可达700皮秒(一皮秒相当于一万亿分之一秒)。
根据千讯咨询发布的《合金材料市场发展研究及投资前景报告》显示，目前可商用的相变存储器多使用锗、锑、碲合金材料，其写入速度极限约为50纳秒左右(1纳秒等于1000皮秒)。相变存储器是一种非易失存储器，可通过脉冲电流让存储材料在晶体和非晶体间转换，以实现读、写、擦操作。由于改变的是材料的物理状态，断电后信息不会消失，有效解决了市场常用的动态随机存储器(DRAM)因断电导致数据丢失的缺点。
作为新型相变材料，钪与碲的化学键稳定，在非晶体到多晶体转化过程中，形成稳定的“八面体”基元，并迅速“成核”生长为多晶体，使存储功耗降低，存储速度提升。