存储器涨价从2016年下半年开始，根据千讯咨询的预计，2017年内存（DRAM）价格涨幅将达到39%，闪存（Flash）涨幅也有望达到25%。这是由于需求增长和供给收缩。一方面，国产品牌手机出货量持续增长，以及新一代iPhone产品推出，存储器产能正被大量消耗；另一方面，以三星、海力士为代表的企业正投入一场存储器创新竞赛，将二维闪存（2DNANDFlash）转移至三维闪存（3DNANDFlash）的技术革命，这导致产能增长放缓，存储器涨价趋势不减。
这是一个得存储器者得天下的时代。存储器被普遍称为“半导体产业的皇冠”。如今正成为手机、电脑等产品硬件配置升级的重要卖点。在全球存储器市场的寡头竞争中，随着存储器价格攀升，三星成为最大赢家，一路高歌猛进，而由此巨亏的东芝（Toshi-ba）半导体却陷入尴尬境地。同时，涨价侵蚀着原本竞争激烈、利润微薄的智能手机产业，一路打价格战的智能手机企业横迎来史上首次涨价潮。
在这样的格局中，国产存储器正在南京、武汉、晋江三地建构着三足鼎立之势。国家已经下定决心发展存储器产业，通过自主研发关键技术与引入半导体巨头，在全球存储器产业的关键时刻，能否实现“弯道超车”？
2016年下半年开始，存储器市场出现供需缺口，需求量持续增长。智能手机和服务器市场对内存和SSD需求旺盛，特别是国产品牌手机出货量持续大幅增长，新一代iPhone产品的推出，需要消耗大量的存储器产能，同时数据中心建设带动服务器用存储器持续增长，固态硬盘在PC中替代机械硬盘也增加了对NAND闪存的需求。
供给持续收缩。三星、海力士等企业正逐步将2DNANDFlash（二维闪存）转移至3DNANDFlash（三维闪存），2DNANDFlash基本停止扩产。3DNANDFlash作为一种新兴的存储器，扩产需要较长时间，闪存产能增长幅度放缓。全球主要闪存厂商的 3DNANDFlash目前产出超过NAND闪存产量的一半。目前DRAM生产工艺微缩进入到20纳米节点，工艺制程继续微缩、良率提升的难度急剧上升，经济效益不好，因此，各大DRAM厂对先进技术开发、资本支出持保守态度，DRAM总体产能增长大幅放缓，DRAM供给相对稳定。预计到2018年，随着3DNANDFlash产能和良率不断提升以及新增产能陆续投产，存储器供应紧张局面有望缓解。
这一轮涨价或改变全球存储器竞争格局。三星成为存储器涨价的最大赢家，三星有望在2017年超越英特尔，成为全球半导体龙头。从去年三季度以来，存储器涨价扭转了三星在Note7手机大量召回带来的不利局面。根据ICIn-sights的数据，今年二季度，存储器持续涨价推动三星半导体部门营收创出新高，有望达到149亿美元，高于英特尔的144亿美元（预估值）。我们预计三星在未来很长一段时间将主导全球存储市场的定价权。
与三星半导体高歌猛进不同的是，东芝（Toshiba）半导体业务发展陷入了尴尬境地。东芝公司的2016年财报显示，公司在美国发展的核电业务出现了巨亏。为扭转不利局面，东芝管理层欲出售半导体闪存业务。业界认为，东芝闪存业务售价将在180亿美元以上。目前，博通（Broadcom）、台湾鸿海、SK海力士以及西部数据（WD）等公司都对竞购表示出了浓厚兴趣。更新的消息是，苹果和亚马逊将联手台湾鸿海竞购东芝半导体业务。
究竟花落谁家，或许6月中下旬市场就会给出答案。这也反映出，在全球范围内，半导体闪存资产仍是一块炙手可热的香饽饽。
涨价对下游智能手机和PC厂商来说十分不利。存储器涨价大幅增加了智能手机和PC厂商的成本，特别是存储器成本占比相对较高的中低端智能手机，侵蚀了竞争激烈、利润微薄的智能手机产业，PC厂商则面临PC出货下滑与存储器供给严重不足的双重压力。
目前部分智能手机已经涨价，幅度在100~500元不等，改变了智能手机以前一直降价的历史。苹果新机型6月初正式进入量产，服务器市场对存储器需求持续增长，国产品牌手机进入销售旺季，这些因素均加剧了存储器的供应紧张程度，部分智能手机厂商拿货可能延迟甚至短期内拿不到货。根据ICInsights的预计，2017年DRAM价格涨幅将达到39%，闪存（Flash）涨幅也有望达到25%。对PC厂商而言，SSD取代普通硬盘是趋势，PC行业近年来增速放缓，订单不稳定也导致存储器厂商不太愿意投入资源在PC用存储器上。
中国存储器产业起步较晚，我国作为全球最重要的存储器市场，在国家产业政策扶持以及大量资本投入的背景下，通过自主研发关键技术与引入半导体巨头，有望实现存储器产业的“弯道超车”，在全球竞争中占有一席之地。
目前已形成南京、武汉、晋江三足鼎立之势。国内存储器目前主要依靠进口，根据千讯咨询发布的中国存储器市场调查研究报告数据，我国每年进口的存储器金额约为600亿美元。为此，国家下定决心发展存储器产业。2016年7月，紫光控股、国家集成电路产业投资基金、湖北国芯产业投资基金合伙企业（有限合伙）和湖北省科技投资集团共同出资240亿美元成立了长江存储。长江存储主要从事3DNANDFlash的芯片与制造，旗下拥有全资子公司武汉新芯。武汉新芯成立于2006年，2008年开始量产，拥有12英寸集成电路技术研发与生产制造能力，其闪存与影像传感器制造技术位居世界前列，并且布局了物联网领域，同时从事SOC、三维集成、MCU平台等工艺技术的研发与生产。
紫光集团官方网站显示，由其投资的紫光南京半导体产业基地项目于2017年1月正式签约落户南京，总投资超过300亿美元，主要产品包括 3DNANDFlash、DRAM存储芯片等，项目一期投资约100亿美元，月产芯片10万片。晋华集成电路官方网站显示，晋华集成电路是由福建省电子信息集团、晋江能源投资集团等共同设立的集成电路企业，于2016年2月在福建晋江成立，投资56.5亿美元，建立12英寸内存（DRAM）晶圆制造生产线，通过与台联电合作共同研发先进存储器技术和制程工艺。
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